飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）

TOF-SIMS是采用初级离子源（Bi源）入射样品的表面激发出材料里的离子，通常给样品加不同偏压分别采集正离子或负离子，金属离子主要在正离子模式产额比较高，而电负性元素如O\OH\F\Cl\S\N\Br等在负离子模式产额高，如果组分有金属氧化物，比如NiO, 那一定会在正离子模式产生Ni原子离子，以及NixOy的分子离子，而负离子模式一定有O原子离子，同时也有NixOy的分子离子，当然在正离子模式下大多数情况 x>y, 负离子模式下x<y,  这个案例中也有NiOH这样的离子，说明有可能有氢氧化物存在。

正常TOF-SIMS是看不了含量的，数据横坐标是M/Z，纵坐标是强度/计数。理由如下：强度与含量是没有直接关系的。首先，同种基材不同离子的产额不同，产额高的谱峰强度高，但并不代表含量高，也就是说谱峰强弱与含量没有直接对应关系，如果要定量必须选用与测试样品基体效应相同的标准样品，得到灵敏度因子才可以定量！第二，同种离子在不同基体材料中的离子产额也不同，所以同一样品不同离子谱峰强度与含量无关，同种离子在不同材料中的谱峰强弱也与含量无关，只有同种材料的不同样品中的同种离子可以比较，谱峰强度高代表含量高。做深度溅射曲线可以看随深度方向，分子片段的相对变化趋势。

质谱和mapping默认测试是同样一个位置，深度剖析正负离子是不同位置。