【摘要】 点电荷模型处理，实际上是对每个配体所带电荷在核处产生的Vzz求和，因此也可引入分部四极裂距的概念，用PQS表示。

点电荷模型处理，实际上是对每个配体所带电荷在核处产生的Vzz求和，因此也可引入分部四极裂距的概念，用PQS表示。

在这种处理中，假定每个配体对∆EQ有独立的贡献。若已知构型和PQS的值，则可以直接从中求出所讨论配位化合物的∆EQ。把PQS当成常数，实际上就是假定了在所讨论的配合物中，金属和配体之间的键距不变或者变化对∆EQ不产生影响。从以上讨论可看出在用PQS计算∆EQ时，公式中各个PQS的值不是简单的求和(这与分部同质异能移不同)，通常是以差值的形式出现。应提醒注意，严格地讲，只有在相同配位数的体系中PQS才是定值，对于同一个配体而言，在不同环境中PQS值可能有相当大的差别。

Vzz(C·F)是由于晶场分裂引起的d轨道非球形布居对电场梯度的贡献,它与穆龂堡尔核的电子结构密切相关，因此可以由Vzz(C.F)得到电子结构的信息。

对于Fe(II)高自旋化含物和在Fe(III)低自旋化合物中的电场梯度，主要是由Vzz(C、F)决定的。

配体的性质及其分布对称性的变化，会敏感地，响到d轨道分裂，使得电子在其中布居的状况发生变化，从而影响Vzz(C、F)的大小，这会在∆EQ中反映出来。

由此看出配体的性质及其分布对称性的变化，会敏感地，响到d轨道分裂，使得电子在其中布居的状况发生变化，从而影响Vzz(C、F)的大小，这会在∆EQ中反映出来。

对过渡元素的化合物，经常是nd轨道和(n+1)d轨道都直接对电场梯度有贡献。-一般晶格贡献Vzz(L)要小于Vzz(价)。而价电子的贡献与部分填满的分子轨道和配位基团轨道的重叠程度有关，因此可反映出键的共价程度的影响。

 

[1] 张宝峰. 穆斯堡尔谱学