【摘要】 聚焦非晶生物材料透射电镜技术,解析厚样品三维成像中的电压优化、STEM/TEM对比机制及辐射损伤控制方案,提供实验参数与分辨率提升策略。

一、三维电子成像技术在厚样品中的应用挑战

随着三维电子成像技术的发展,厚样品(如未染色生物组织、无定形聚合物)的透射电镜分析成为研究热点(图1)。传统薄层序列成像虽能重构三维结构,但复杂的样品制备流程限制了其应用。目前电子断层扫描结合计算机倾斜台技术,已成为获取厚样品三维信息的实用方案。

非晶碳电子散射IMFP与能量关系曲线

图1 非晶碳在100 keV和3 MeV之间的非弹性平均自由程和冰。黑色虚线表示碳ESTAR值增加了1.1倍。蓝色虚线表示碳中弹性散射的平均自由程。

 

二、TEM与STEM成像机制对比分析

针对低原子序数非晶材料(含水/干燥生物样本)的成像需求:

1.TEM对比机制:依赖相位衬度,适用于2-5μm物镜孔径场景

2.STEM优势:通过环形探测器实现深度分辨率,但需精确光路校准

3.分辨率实测:300kV设备可实现<5nm总体分辨率,特征剂量100e/Ų时达1nm级

 

三、加速电压与物镜孔径的优化选择

3.1 电压参数实验验证(图2)

不同加速电压下弹性散射角度分布对比

图2 300 keV电子穿过极薄(t < < λi)碳样品后的弹性散射(蓝色方格)和非弹性散射(红色圆圈)角分布的对数图。

 

  • 300kV:适用于1-2μm样品,质量厚度对比度达投影值的2倍
  • 1-3MV:支持10μm超厚样品,分辨率突破10nm阈值

3.2 孔径优化准则

  • 2-5μm物镜孔径可平衡分辨率与信噪比
  • 过小孔径导致衍射限制,过大则降低对比敏感度

 

四、辐射损伤控制与分辨率提升策略

1.损伤机制:电子轰击引发电离损伤(Eav≈45eV)

2.防护方案

  • 采用冷冻传输技术降低水合样本损伤
  • 优化曝光参数(图3)

300keV电子在厚碳层中的多重散射模拟

图3 300 keV电子穿过厚的(t≈4µm)非晶态碳样品后总(弹性+非弹性)散射角分布的对数图。

3.剂量-分辨率关系:100e/Ų剂量下可实现1nm特征识别

 

五、高能电子成像的未来发展方向

1.兆伏级加速电压与能量过滤技术结合

2.深度学习辅助的散射信号解析算法

3.基于切伦科夫辐射的广角散射补偿技术(θ<20μrad)

 

技术参数速查表

参数

300kV TEM

1MV STEM

适用厚度

1-5μm

5-10μm

典型分辨率

5nm

10nm

特征剂量

100e/Ų

200e/Ų

 

参考文献:1.&nbspEgerton, R. F.;  Hayashida, M.; Malac, M., Transmission electron microscopy of thick polymer and biological specimens. Micron 2023, 169, 103449.

 

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