【摘要】 由于吸收体样品可以发射出二次γ射线，内转换电子以及俄歇电子和X射线，而且它们都和吸收体的性质结构有关。

由于吸收体样品可以发射出二次γ射线，内转换电子以及俄歇电子和X射线，而且它们都和吸收体的性质结构有关。因此为了不同的目的，探测不同的对象，就需要专门的探测器和源一样品一-探测器几何条件。背散射技术的一般方法是：

  • 探测二次发射的γ射线

 

图1 两种散射几何装置；(a)固定圆筒形散射体；(b)固定平面散射体

 

这是背散射条件下观察穆斯堡尔效应最直接的方法，其装置如图1所示。由于大多数核的内转换系数较大，所以计数率很低，但本底计数也很低。若几何条件合适、屏蔽较好，亦可获得较好结果。此法主要用于获得不能破坏的、体积大的样品表层信息。通常使用高分辨率的固体探测器，对57Fe的14.4 keV γ射线，常采用2英寸直径的充冤气正比计数管，当然有时也采用半导体探测器。

 

(2)探测X射线

此法适用于研究表层构造。由于实验中X射线穿透深度约为0.001mm，故能得到0.001mm表层内的信息。此法计数率较高，可以获得较好的谱图。一般使用0.5英寸充氩气正比计数器搂收6.3keV X射线的效率是65%，而且分辨率较好。为了使背底减小影响，一般要放置2mm厚的有机玻璃或0.01mm铝箔对源进行过滤。

 

(3)吸收谱和背散射谱同时测量

使用双通道穆斯堡尔谱仪并使用上述探测器，很容易同时得到吸收谱和背散射谱。

  • 周孙选, 王德山. 用背散射X射线穆斯堡尔谱研究涂层下钢铁的腐蚀[J]. 核技术, 1993, 16(6):5.
  • 金革, 汪晓莲, 姚春波. 双通道穆斯堡尔谱仪系统[C]// 全国核电子学与核探测技术学术年会. CNKI, 1995:5.