高电阻率硅片电阻率随时间变化的研究

硅片作为集成电路工业的基石之一，在半导体制造技术的发展中发挥了不可替代的作用。目前，为了满足各种应用的需要，人们制备了不同掺杂水平的硅片。例如，低电阻(轻掺杂)硅片广泛应用于 CMOS 工艺。相反，高电阻率硅片被认为是微波和毫米波器件^[1]和探测器的优秀基板，由于优良的电气绝缘特性，减少串扰耦合和寄生效应之间的数字电路，模拟电路和射频(RF)电路。高阻 SOI (RF-SOI)在 GHz 和 THz 频率范围内表现出优异的性能，研究300mm Czochralski (CZ)高阻硅衬底将促进5G 的发展。

为了开发适用于不同应用的高电阻率硅，应该对角色塑造进行快速而准确的电阻率测量。人们提出了许多方法来精确测量高电阻半导体，如浮动电路^[2]、交流电、直流、差分静电计、双调制、交流保护和直流保护。然而，这些方法和其他广泛使用的技术(例如扩展电阻剖面法、霍尔测定法和 C-V 掺杂剖面法耗时、昂贵，而且测定的准确度有待提高。

由于测定的准确度、灵敏度、稳定性和测定范围都很大，四探针技术被认为是快速测量高电阻率晶圆电阻率测试的首选方法。然而，一个尚未解决的问题阻碍了4PP 在该领域的应用。我们观察到一些半导体材料，例如碳化硅、低剂量单注入层和硅外延晶片，测量到的电阻率随时间而变化。’

本文研究了晶圆表面处理和储存时间对电阻率测定的影响。对于经过处理的高电阻率硅片，P 型的电阻率随着时间的推移而减小，而 N 型的电阻率随着时间的推移而增大，并且在几天后获得稳定的电阻率。实验结果和理论研究将被提出和讨论。

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