【摘要】 不同应用频率下介电常数 ( ε ) 和损耗 (tanδ )的温度依赖性。

本文[1]研究了单相斜方钙钛矿EuCrO 3的负磁化强度、介电和磁介电性能。零场冷却后的磁化强度-温度曲线显示，在T N ∼180 K 处发生反铁磁转变，并且在T N以下存在负磁化强度。详细的实验表明，负磁化强度是由颗粒相互作用和负俘获场引起的。

 

介电曲线表现出两个介电损耗峰值。一个与氧空位有关，另一个与活化能为E a 的空间电荷引起的热活化弛豫有关～0.322 eV。在250~320 K温度范围内观察到明显的磁介电效应，这是由于双交换机制导致核心磁阻发生变化。使用精密阻抗分析仪(Wayne Kerr 6500B)测量介电性能。

 

不同应用频率下介电常数 ( ε ) 和损耗 (tanδ )的温度依赖性。当 f = 10 kHz 时，室温下介电常数ε显示为 ∼4000 的高值。高ε（高于~250 K）和低介电损耗在电子工业中具有技术重要性，因为它们能够实现器件小型化[ 16 , 22 ]。

 

有两个介电损耗峰值，定义为P 1和P 2按照温度升高的顺序。为了了解这两个峰的来源，我们在氧气气氛中 600 °C 退火两小时后进行了介电测量。氧退火后，P 1几乎消失，这意味着P 1可能是由于氧空位所致，而P 2几乎没有变化，这表明这是由于其他原因造成的。

 

随着频率的增加， P 2转移到更高的温度，表现出热激活弛豫行为。拟合结果与实验数据之间的比较。可以看出拟合是完美的。作为频率函数的合成峰值位置 T P遵循阿伦尼乌斯定律。其中 f 0为指前，E a为活化能，k B为玻尔兹曼常数，T P为 tan δ峰值温度。由拟合良好的直线斜率得到的E a为0.322 eV，接近其他RCrO 3的值（ NdCrO 3  = 0.57 eV [ 16 ]、SmCrO 3  = 0.33 eV [ 12 ] 和GdCrO 3  = 0.30电子伏特）。

 

为了阐明弛豫机制，我们进行了阻抗分析。通过阻抗图，我们可以区分弛豫过程中晶粒 (g)、晶界 (g b ) 和样品-电极界面产生的不同贡献。

 

[1]Eerenstein W, Mathur N D and Scott J F 2006 Multiferroic and magnetoelectric materials Nature 442 759–65

 

科学指南针通过互联网技术建立更可靠的服务标准，全国拥有31个办事处，20个自营实验室，最好的设备、最专业的老师为您服务。

 

免责声明：部分文章整合自网络，因内容庞杂无法联系到全部作者，如有侵权，请联系删除，我们会在第一时间予以答复，万分感谢。