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正极极片CEI膜成分分析与厚度测定
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项目简介
项目介绍
CEI对高电压和高容量正极材料的电化学性能有显著影响，但由于CEI组成和结构的复杂性容易受到电解质溶剂/添加剂和电池测试条件的影响，尚未建立详细的CEI形成机理。在不同的电压，循环过程中CEI膜的组成成分以及厚度会发生相应的改变，导致电化学性能的改变，可以从CEI膜角度来分析电化学性能。TOF-SIMS具有超真空环境测试，采集深度低，检测出限低，测试范围广，能分析空间分布的特点，适用于此类样品研究。
适用范围
正极极片CEI膜
方法简述
通过TOF-SIMS探测样品表面溢出的荷电离子或离子团，同时对原子离子和元素分布进行成像，深度溅射探测样品元素与离子团的纵向分布、CEI膜的厚度等进行分析。
测试结果
1）提供表面一个位置的正负谱质谱图；
2）提供一个表面区域面扫2D mapping，扫描区域为： 100μm*100μm或50μm*50μm；
3）提供深度刻蚀曲线（负离子模式），采集三维深度分布图（负离子模式），深度刻蚀面积：400um*400um 溅射时间为20min；
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样品要求
正极极片长宽1.1cm以内，厚度5mm以内，不能太大，小一些没有问题。
常见问题
1. 注意事项
1）TOF测试1-2nm的信息，对表面测试非常灵敏，会因包装问题导出样品表面污染测试出污染的信息，最好用铝箔纸包装；
2）样品在超高真空下必须稳定，无腐蚀性，无电解液残留。
