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正极极片CEI膜成分分析与厚度测定
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项目简介
项目介绍
CEI对高电压和高容量正极材料的电化学性能有显著影响,但由于CEI组成和结构的复杂性容易受到电解质溶剂/添加剂和电池测试条件的影响,尚未建立详细的CEI形成机理。在不同的电压,循环过程中CEI膜的组成成分以及厚度会发生相应的改变,导致电化学性能的改变,可以从CEI膜角度来分析电化学性能。TOF-SIMS具有超真空环境测试,采集深度低,检测出限低,测试范围广,能分析空间分布的特点,适用于此类样品研究。
适用范围
正极极片CEI膜
方法简述
通过TOF-SIMS探测样品表面溢出的荷电离子或离子团,同时对原子离子和元素分布进行成像,深度溅射探测样品元素与离子团的纵向分布、CEI膜的厚度等进行分析。
测试结果
1)提供表面一个位置的正负谱质谱图;
2)提供一个表面区域面扫2D mapping,扫描区域为: 100μm*100μm或50μm*50μm;
3)提供深度刻蚀曲线(负离子模式),采集三维深度分布图(负离子模式),深度刻蚀面积:400um*400um 溅射时间为20min;
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样品要求
正极极片长宽1.1cm以内,厚度5mm以内,不能太大,小一些没有问题。
常见问题
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1. 注意事项
1)TOF测试1-2nm的信息,对表面测试非常灵敏,会因包装问题导出样品表面污染测试出污染的信息,最好用铝箔纸包装;
2)样品在超高真空下必须稳定,无腐蚀性,无电解液残留。