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条D-SIMS的内容
一文了解DSIMS:原理、仪器结构和应用
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在高真空环境下,一次离子由锑或氧离子源产生(Cs⁺或O2⁺)加速、净化和聚焦后,用一定的能量轰击样品表面微区域,使样品表面溅射各种颗粒(中性原子或分子、带正负电的原子、分子和离子)。
2023-08-07
5783
0
一文读懂D-SIMS
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动态-二次离子质谱(D-SIMS)用气体等离子源轰击样品,溅射样品表面的原子、分子或离子,用质量分析师接收溅射的二次离子,通过比较其质量荷比(m/z)获得二次离子质谱。因为D-SIMS的离子源是高密度离子束(原子剂量>1012ions/cm2),对样品溅射有很大的影响,所以是一种毁灭性的分析。
2023-08-07
5209
0
D-SIMS定性与定量分析解决方案
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动态二次离子质谱技术是一种非常敏感的表面分析技术,利用电子光学方法将稀有气体等初级离子加速并聚焦成微小的高能离子束轰击样品表面。
2023-08-04
5035
0
动态二次离子质谱仪(D-SIMS)
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表面分析,深度剖析,元素分析,半导体掺杂分析
2025-01-20
16704
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