【摘要】 动态-二次离子质谱（D-SIMS）用气体等离子源轰击样品，溅射样品表面的原子、分子或离子，用质量分析师接收溅射的二次离子，通过比较其质量荷比（m/z)获得二次离子质谱。因为D-SIMS的离子源是高密度离子束(原子剂量>1012ions/cm2)，对样品溅射有很大的影响，所以是一种毁灭性的分析。

动态-二次离子质谱（D-SIMS）用气体等离子源轰击样品，溅射样品表面的原子、分子或离子，用质量分析师接收溅射的二次离子，通过比较其质量荷比（m/z)获得二次离子质谱。因为D-SIMS的离子源是高密度离子束(原子剂量>1012ions/cm2)，对样品溅射有很大的影响，所以是一种毁灭性的分析。此外，D-SIMS一般要求样品具有良好的导电性，主要用于地质研究、同位素定量分析、半导体混合深度分析等无机样品的纵向浓度分析和痕量杂质鉴定。

 

D-SIMS的原理图

与SEM等其他典型的表面分析技术相比，-EDS（约1%）、Auger（约0.1%）、XPS(约0.1%)，D-SIMS不仅具有极低的检验极限（ppm～ppb），其灵敏度（～ng/g）图像分辨率也比较高，几乎可以实现对包括氢在内的所有元素的定性研究。

D-SIMS可以为您解决产品质量问题

(1)定性检测产品表面细微异物（≥10μm），特别是当常规成分测试方法失效时。

(2)检查多层膜或单层膜的厚度(厚度)≥1nm）。

(3)分析表面超痕量物质成分，确定外来污染与否，检出限高达ppb等级。

(4)检测夹杂过程中从表到内极低浓度的元素分布。

（5）元素含量面布局图和同位素丰度分析，逐步剥离，实现各成分的垂直分析（AES、XPS只能分析垂直新产生的表面)...

 

D-样品SIMS要求：

（1）固态样品表面应平整光滑；粉末样品必须压入软金属箔（如铜）或压成小块。

(2)样品最大规格尺寸为1×1×0.5cm，样品尺寸过大需要切割取样时，样品表面必须平整。

(3)防止手和取样工具接触到需要检测的位置，取样后用真空包装防止外部污染影响数据分析。