【摘要】 利用温度相关的电学和霍尔效应研究CuInGaSe2（CIGS）晶体的主要性质。

利用温度相关的电学和霍尔效应研究CuInGaSe2（CIGS）晶体的主要性质。利用改进的Bridgman策略有效地开发了CIGS晶体。在198K和388K之间的研究温度范围内，对电导率和霍尔效应测量进行了探索。估计了大多数载流子和少数载流子的各种物理参数，如迁移率载流子、电阻率、载流子浓度以及霍尔效应和电导率系数。使用传统的CIGS晶体双探针技术对直流电导率进行了估计。因此，通过研究直流电导率的温度依赖性来确定活化能。CIGS晶体的霍尔效应测量结果表明，所有样品都是（p型），载流子浓度和霍尔迁移率明确取决于温度。通过研究直流电导率和霍尔效应，首次确定了我们晶体的主要物理参数的完整图片，如空穴的扩散系数、平均自由时间和空穴的扩散长度。在一个以信息技术为主要特征的世界里，今天具有复杂电气性能的产品无处不在。电子设备规模缩小的后期技术进步，或显示器和信息存储设备性能的不断扩展，从根本上取决于复杂的电子和磁性组件。为了实现信息技术的多种产品，对具有优异电气性能的产品的需求非常大。半导体具有各种有用的特性，可用于电子和光电子等领域，以实现大量高性能器件。I–III–VI2半导体化合物家族包含CuIn1-xGaxSe2（CIGS），由于其众多的兴趣点，已被广泛用于光伏。太阳能电池应用中感兴趣的来源可以是铜铟镓二硒化物（CIGS）。CIGS晶体是通过一种独特的改良Bridgman方法合成的。电导率和霍尔效应是在真空下在宽温度范围（198–388 K）内测量的。所有实验都是在一个特制的低温恒温器中，在真空条件下进行的。霍尔系数测量显示了p型的电导率。建立了能隙和受主能级深度。实验知识帮助我们确定了主载流子的载流子浓度、迁移率、扩散系数、扩散长度和弛豫时间。

 

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