【摘要】 在使用霍尔效应测试仪时，需要注意的制样条件如下

霍尔效应测试仪的仪器图如图1所示，其可用于测试多种Si，SiGe，SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN、金属膜以及氧化物等半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数以及导电类型等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。霍尔效应测试仪的功能在于可用于判断半导体材料的型态（包括n型和p型）；判定LED磊晶层的质量；判断在HEMT组件中二维电子气是否形成等。

 

图1 霍尔效应测试仪

 

在使用霍尔效应测试仪时，需要注意的制样条件如下：

1、样品形态：必须是薄膜（做在基底上面的薄膜也可以），薄片，或者粉末压片（根据测试要求压制成合适尺寸）（这些材料一般都是半导体材料）。如果是做在基底上面的薄膜，那么薄膜要稍微厚一点，薄膜的厚度需要提前进行测量并确保准确度，包括纯薄膜的厚度以及薄片或者压片的厚度都要确认好，到时候测试时需要输入仪器进行计算，厚度不准确对结果存在影响。

2、尺寸：8-11mm见方的圆片或者方片（最好是10mm见方的尺寸），整体厚度1mm及以下。

3、样品本身电阻不要超过200兆欧（可在送样前使用万能表进行测试），超过需要联系测试老师焊接电极测试（自己焊接的电极没法用）。

 

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