【摘要】 Taehoon Sung等人的研究展示了一种使用“基于真空溶液的金属化”(VSM)工艺降低非晶态铟镓锌氧化物(a- igzo)电阻的方法，该方法通过简单地将a- igzo浸入三甲基铝(TMA，(CH3)3Al)溶液中，从而彻底改变了金属化过程。

随着未来显示器需求的不断增长，非晶氧化物半导体(AOSs)以其高开/关比、高电子迁移率、高均匀性和低制造温度等优点，作为硅半导体的替代品，在显示器领域受到了广泛的关注。由于这些优点，非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)目前被广泛应用于显示背板的驱动和开关晶体管(TRs)

 

由于未来的显示器通常需要超过8 K (7680 × 4320像素)的分辨率和超过240 Hz的刷新速率，因此TRs所需的切换速度通常小于几μs由于高寄生电容，传统的TFT结构不容易满足如此苛刻的开关速度要求，其中栅极和源漏极(S&D)电极重叠因此，自对准顶栅(SATG)薄膜晶体管(TFT)已被设定为行业标准，这要归功于其非常低的寄生电容，这源于栅极电极和S&D电极之间几乎为零的重叠。

 

Taehoon Sung等人的研究展示了一种使用“基于真空溶液的金属化”(VSM)工艺降低非晶态铟镓锌氧化物(a- igzo)电阻的方法，该方法通过简单地将a- igzo浸入三甲基铝(TMA，(CH3)3Al)溶液中，从而彻底改变了金属化过程。从XPS结果可以看出，VSM过程后产生了氧空位，导致电导率增强。研究了不同的金属化时间和溶液温度条件下，a-IGZO的电导率可提高到20.32 S cm−1，是未处理的a-IGZO的105倍以上。利用VSM工艺成功制备了自对准顶栅(SATG) a-IGZO薄膜晶体管(TFTs)，并利用X射线光电子能谱(XPS)对其机理进行了解释。

 

[1] Sung T, Song M K, Jung S Y, et al. Vacuum-free solution-based metallization (VSM) of a-IGZO using trimethylaluminium solution[J]. RSC Adv. 2022, 12(6):3518-3523.

 

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