电子束曝光系统概述

电子束曝光系统又称电子束图形发生器，它是利用电子束直接在涂覆抗蚀利的基片上:曝光掩模图形的拖模制造设备。此种系统有三类:第一类是高斯束(圆形束)电子束粤光系统如18X50 FS和BPC5等、主要用于情米芯片直马成纳米尺度特征德模制查，第二类是可变矩形柬电子束吸光系统，如JIX6AHI. JBX320和SB30系列等，主要用于掩模制造;第三类是光栅扫描式电子来曝光系统，如MEBS4700等，主要用于光掩模制造"。

变形柬电子束曝光系统(aibaeshaed Eletro BRam Exsre Sstm)是一种可变束延的电子束要光系统。它利用电子光学系统中的静电偏转电极将可移动的第1光阑(大的矩形窗口光阚)的像投影在第2光阑上，第1光阑窗口的像和第2光阑窗口重合部分便形成可改变形状和尺寸的电子束班。在曝光过程中根据集成电路版图的单元图形结构和大小来改变光阑大小，由大矩形束斑可拼接成大尺寸图形，以细条图形曝无可拼接成小尺寸图形，从而提高电子束曝光效率，也称为可变矩形東电子柬曝光系统，是一种常用的电子東光掩模制造设备。

如果将第1光阑偏转成像在第2光国窗口上，则可构成三角形、梯形车其他形状束斑。成形束电子束曝光系统(Shaped Eletron Beam Exposure System)也称为定形束电子東曝光系统。它利用电子光学系统中第1光阑(大的矩形窗口光阑)的像移动到-定位置后保持不变，并投影在第2光阑上，第1光阑窗口的像和第2光阑窗口重合部分便形成一一个形状和尺寸固定的电子束斑，因此也称为固定矩形束电子束曝光系统，常用于光掩模制造。根据曝光图形的精度要求可以调整矩形束斑的尺寸，由于该系统是固定束斑，电子束曝光的数据处理比较简单:如果将第2光澜置换成固定尺寸和形状的镂空掩模，即可形成定形束投影电子束光刻系统。

如果蒋第2光阑置换成由一系列各种尺寸和形状组合的镂空掩模，通过第1光阑窗口可选择投射到镂空组合掩模的某个特定图素上进行投影拼接曝光，或者多次选择不同的图素进行拼接曝光，即字符投影式电子束光刻方式，该投影电子束曝光系统同时具有纳米级曝光精度和快速高效率曝光的特点。光栅扫描式电子束曝光系统(Raster Sean Eletron Beam Expoure Sytem)是-种全掩模有效区域内选择性扫描曝光的电子束曝光系统。

工件台的移动和电子束扫描相互配合可构成维扫描场，通过静电通断电路依照输人图形数据控制电子束的通断可进行选择性曝光。通常是工件台在x方向按弓字形连续往返移动，电子束沿y方向以设定的扫描场宽度扫描曝光，调整工件台往返的间隔与电子東描宽度相匹配可完成整个基片曝光。

美国ETEC公司出品的MEBES系列电子束曝光系统均属光栅扫描方式，该系统具有较高的曝光效率，主要用于掩模制造。