【摘要】 由两种不同的半导体单晶材料形成的PN结称为异质结。

由两种不同的半导体单晶材料形成的PN结称为异质结。按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为同型异质结（P-p结或N-n结）和异型异质(P-n或p-N)结，多层异质结称为异质结构。通常形成异质结的条件是：两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术，都可以制造异质结。异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性，使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。

 

发展历程：

1951年由Gubanov首先提出了异质结的概念;

1957年克罗默得到了“导电类型相反的两种不同的半导体单晶材料制成的异质结，比同质结具有更高的注入效率。”这一重要结论。

1960年1BM公司利用汽相外延生长技术成功地实现了异质结构。

1969年人类制备出了第一-支异质结激光二极管。

 

异质结的分类

 

1.按两种材料导电类型的不同来分:

 

(1)反型异质结

由导电类型相反的两种不同的半导体单晶材料形成的异质结称为反型异质结。

如: P型(Ge与N型GaAs构成的异质结，记为p-n Ge-GaAs或(p)Ge-(m)GaAs

 

(2)同型异质结

由导电类型相同的两种不同的半导体单晶材料形成的异质结称为同型异质结。

如: n型Ge与n型GaAs所形成的结，记为n-n Ge-GaAs或(n)Ge-(n)GaAs

 

2.按两种材料能带的相对位置来分:

（1）Ⅰ型异质结：禁带宽度小的半导体材料的导带底和价带顶均处于宽禁带半导体材料的禁带内。

（2）Ⅰ’型异质结：两种半导体材科的禁带相互交错。

（3）Ⅱ型异质结：两种半导体材科的禁带完全错开。

 

科学指南针是互联网+科技服务平台,500多家检测机构,提供近5万种设备和服务项目,涵盖生物医药、智能硬件、化学化工等多个领域,由专业人员1对1跟踪服务,保证检测质量与效率。

 

免责声明：部分文章整合自网络，因内容庞杂无法联系到全部作者，如有侵权，请联系删除，我们会在第一时间予以答复，万分感谢。