【摘要】 正电子湮没光谱 (PAS) 作为一种非破坏性评估方法，对捕获位点敏感，例如开放体积缺陷（空位、空位团块、堆垛层错四面体 SFT、位错、晶界 GB、空洞），其中电子密度低于无缺陷体， 这些位点代表了正电子的有吸引力的潜力。

正电子湮没光谱 (PAS) 作为一种非破坏性评估方法，对捕获位点敏感，例如开放体积缺陷（空位、空位团块、堆垛层错四面体 SFT、位错、晶界 GB、空洞），其中电子密度低于无缺陷体， 这些位点代表了正电子的有吸引力的潜力。 正电子的湮没特性对缺陷类型很敏感。 因此，PAS（例如正电子寿命测量）是暴露于各种辐射环境的材料的有效微观结构表征。在这个案例中，我们专注于预期用于热核聚变设施应用的 CuCrZr 合金。 在这个项目的框架中，我们主要对 CuCrZr合金进行了研究。

 

热处理 (HT)对CuCrZr合金中析出物尺寸和密度的影响之前已通过透射电子显微镜 (TEM)进行了研究。在这项工作中，我们使用正电子湮没光谱 (PAS)研究了 HT 对未辐照CuCrZr合金中缺陷结构的影响。将PAS获得的结果与TEM获得的结果进行比较。在PAS测量中，观察到具有基本恒定值的精确定义的长缺陷寿命τ2，而其强度I2表现出对HT的强烈依赖性。因此，观察到施加的HT对CuCrZr合金的缺陷微观结构有明显的影响。测量的缺陷寿命τ2 参数与在沉淀基质界面处产生空位型缺陷有关。我们假设它是由晶格失配（基质、位错和沉淀物）引起的。此外，估计特定捕集率对沉淀物半径rppt的依赖性，并与基于扩散限制捕集和过渡限制捕集模型的理论值进行比较。这些结果是未来在快中子辐照处理后详细研究CuCrZr合金以及开发 ITER或GenIV合适材料的基础。

 

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