AgO（001）表面吸附H2S的密度泛函理论研究

如今，众所周知，化学或石化行业产生了许多对环境造成污染的化合物。例如，在工业过程中腐蚀设备（如金属管道）的硫化氢（H₂S）就是这些化合物之一。Etienne Nzouana等人^[1]采用GGA+PBE和GGA+U方法研究了有害H₂S分子在AgO（001）表面的吸附。研究中使用Perdew-Burke-Ernzerhof（PBE）描述了交换相关势和能量。以及GGA-PBEsol作为另一个交换相关函数。除了GGA-PBE或GGA-PBEsol结果外，还列出了使用Dudarev等人提出的形式的GGA+U方法计算的值，以校正局部Ag^-4d态的强电子相关性。首先，在开始对具有H₂S吸附的AgO（001）表面进行DFT研究之前，通过计算大块单斜AgO晶体的优化结构参数和能带结构，测试了DFT+PBE和DFT+U。超晶胞的晶格参数已经被设置为等于体AgO值。使用GGA-PBE和PBEsol泛函计算的这些晶格参数在数量上是相似的，并与现有的实验结果进行了比较。因此，由于这四个值之间的差异不显著，在实验过程中使用GGA-PBE函数计算的晶格参数来构建计算。GGA+PBE函数计算结果预测AgO系统是金属的，而GGA+U计算表明AgO是具有小带隙的半金属的。其次，研究了H₂S分子与具有氧（O）或银（Ag）终止的AgO（001）表面之间的相互作用。已经确定了吸附能、结构参数、投影态密度（PDOS）和电子密度分布的差异。通过计算结果表明，H₂S在AgO（001）表面的有利吸附位置取决于AgO（001）板的层数、交换相关函数（GGA+PBE或GGA+U）和所使用的终止。

[1]Adsorption of H2S on AgO(001) surface: A density-functional theory investigation[J].Surface and Interface Analysis, 2022.DOI:10.1002/sia.7062.

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