EBSD介绍（一）

1928年，日本科学家菊池先生在研究方解石荧光发射时观察到线状的电子衍射花样（也有报道称是从云母上观察到的）。后来在SEM中也发现相似的电子衍射花样特征，这种衍射花样则被称为电子背散射衍射（EBSD）花样，因为是菊池先生首先对TEM中这种线状的电子衍射花样做出了在几何上的解释，故这种线状的电子衍射花样也称菊池花样。1954年，相关报道称在背散射条件下也能获得相似的衍射花样。研究人员通过对TEM下菊池带的知识和理解来分析EBSD条件下的菊池带，所以对菊池带的分析和认知，为EBSD分析技术的发展打下了扎实的前提。故EBSD花样也简称EBSP、BKDP。

经过20多年的发展，装配在SEM上的EBSD系统取得了巨大的进步，相关研究人员利用这项技术表征了很多材料的微观结构和微观织构等特征。而且装备在SEM上的EBSD捕获的角度约为70°，远大于TEM中的20°，所以EBSD花样能携带更多的晶体衍射信息。在SEM中的EBSD装置示意图如图一所示。从电子枪中发射出来的入射电子轰击到倾斜70°的样品表面上，入射电子与样品内的表面原子发生相互作用,这些相互作用会改变电子的运动轨迹，因为样品倾斜摆放在样品台上，所以会产生大量背散射电子，这些背散射电子在出射的过程中，由于样品内周期性原子排布而产生衍射，发生衍射的电子最终被腔内的荧光屏幕接收，从而形成背散射衍射花样。

图一 (a) EBSD工作图；(2)EBSD花样形成示意图

[1]Winkelmann A,Trager-Cowan C, Sweeney F,et al. Many-beam dynamical simulation of electron backscatter ciffraction pa tterns [J].Ultamicosopy, 2007,107(4):414-421.

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[3]刘全宝. 多片层法模拟电子背散射衍射花样[D].湘潭大学,2016.

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