【摘要】 在半导体衬底上生长的超薄(UT)铅膜由于在Si(111)或GaAs(110)上只有几个单分子层甚至一个单分子层(ML)厚度的超导电性而成为各种实验研究的对象。

在半导体衬底上生长的超薄(UT)铅膜由于在Si(111)或GaAs(110)上只有几个单分子层甚至一个单分子层(ML)厚度的超导电性而成为各种实验研究的对象。在这方面，PbUT薄膜代表了降维中强电子-声子(e-ph)相互作用的典型例子。原子散射(HAS)研究了在铜(111)衬底上UT-Pb膜的逐层生长过程，首次证明了量子尺寸效应(QSE），这种效应表现为具有各种结构、动力学、和电子性质的层厚度的振荡。超导临界温度和上临界场也发生厚度振荡。

氦原子散射(HAS)只能通过声子诱导的表面电荷密度振荡来探测金属表面的声子，这一事实使HAS光谱有资格成为一种强大的工具，来直接测量不同模式的e-ph相互作用和探测深至e-ph相互作用范围(量子声纳效应)的亚表面声子。最近，来自导体表面的HAS的德拜-沃勒(DW)指数已被证明与质量增强因子λ直接相关，从而证明HAS反射率与温度的依赖关系以及从3He自旋-回波散射实验来评估准2D系统的平均e-ph相互作用。

用密度泛函微扰理论对刚性衬底上3-6层铅的从头计算，除了很好地再现了观察到的色散曲线外，还允许将反常指定到费米等值线的平坦部分。与在Cu(111)衬底上生长的Pb膜不同，对于Si(111)和Ge(111)衬底，只观察到表面局域分支，表明薄膜-衬底的相互作用相对较弱。与在Si(111)衬底上观察到的单分子层(润湿层)的超薄Pb膜的超导电性一致，两种衬底的质量增强因子都是由镜面散射强度对膜厚度的依赖关系得到的，而Ge(111)衬底的质量增强因子略大一些。

 

科学指南针为您提供材料测试,主要业务范围包括XPS,普通XRD,透射电子显微镜TEM,全自动比表面及孔隙度分析BET等测试。

 

免责声明：部分文章整合自网络，因内容庞杂无法联系到全部作者，如有侵权，请联系删除，我们会在第一时间予以答复，万分感谢。