【摘要】 砷化镓是一种具有优良电子性能的半导体。砷化镓纳米颗粒是灰色立方晶体。它们是有毒的以及对环境有害的物质。

量子点系统是有关了解其光学和电学性质。因此，有大量的工作提出了这些结构中激子效应的不同方面。半导体结构的非线性光学性质是近年来低维研究的一个重要课题，并且很好地说明了激子在量子阱中的局限性是由于激子的影响越来越大，如结合能和振荡功率。在这些系统中，有限状态之间的跃迁能量通常与大量的振荡力和较小的松弛时间有关它可用于新型光学器件的设计。例如，在蓝光和紫外光发射二极管和蓝色激光二极管使用InGa量子阱。在这种情况下，Moradi等人[1]研究了量子点纳米结构GaAs/GaAsAl中的激子行为，以及尺寸L对激子结合能和电子空穴重叠函数的影响。砷化镓是一种具有优良电子性能的半导体。砷化镓纳米颗粒是灰色立方晶体。它们是有毒的以及对环境有害的物质。它们的用途包括:红外发光二极管、激光二极管和光学窗等器件的构造。砷化镓具有抗电磁辐射和放射性物质的性能，因此在军事和空间应用方面具有重要意义。这项工作的目的是引入一种数学方法来检查零维半导体纳米结构中激子的行为。在三个受限的维度上扩展模型。所使用的试验波函数是书中的标准，写成三个波函数的总和。第一个和第二个与量子点中一个电子和空穴的单粒子波函数有关，第三个代表一个半径作为变分参数调整的自由激子。

[1] Moradi Z , Saeidi M .Exciton binding energy in cubic semiconductor quantum dot[J].International Journal of Modern Physics B, 2019, 33(26):1950303.

 

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