【摘要】 四川大学与东北大学团队在《Angewandte Chemie》发表研究,通过空间限制与硒裁剪策略实现S-Cu正极四电子反应高度可逆。科学指南针提供理论计算支持,助力反应机理解析与性能优化。

四川大学王倩教授、尧猛与东北大学赖勤志教授团队在《Angewandte Chemie International Edition》发表突破性研究成果,通过"空间限制"策略结合硒分子裁剪技术,成功实现S-Cu正极四电子反应的高度可逆。科学指南针为本研究提供理论计算支持,助力反应机理解析与材料设计优化。

 

研究背景与水系电池挑战

水系电池因安全性高、成本低,被视为大规模储能的理想选择。硫(S)阴极与Cu²⁺/Cu⁺氧化还原载体结合具有4电子转化的高理论比容量(3350 mAh g⁻¹),但S-Cu体系面临严重不可逆容量损失问题,制约其实际应用。

核心挑战分析:​

  • 充放电过程存在严重的不可逆容量损失

  • CuS中间产物氧化惰性导致活性物质持续损失

  • 传统两步反应路径(S→CuS→Cu₂S)效率低下

  • 容量衰减率高达75%,制约体系发展

 

创新方法:空间限制与硒裁剪策略

研究团队提出"空间限制"策略结合硒(Se)分子裁剪技术,成功绕过CuS中间产物的生成,首次实现S-Cu正极"四电子"反应的高度可逆。

技术突破要点:​

  • 利用微孔碳基体(SC-C,孔径≈5Å)作为离子筛抑制Cu²⁺水合

  • 通过硒原子裁剪将S₈环剪切成短链S₂-S₄

  • 实现一步四电子反应(Cu₂S→S),跳过CuS生成

  • 理论计算显示Se掺杂使S-S键能降低,更易断裂

 

失效机制与元凶锁定

通过分电压区间充放电研究和原位表征技术,精准锁定容量衰减的主要元凶为CuS中间产物的氧化惰性。

机制研究发现:​

  • CuS→S步骤容量衰减率高达75%,CuS↔Cu₂S反应近乎100%可逆

  • 原位XRD和高分辨TEM捕获充电后电极中残留CuS晶体

  • 证实CuS氧化惰性是容量衰减主因

1a)循环性能,和b)S/C阴极在0.5A g-1下的充放电曲线。c)在S/C阴极的前10个循环中两个放电平台的放电容量。d)S/C阴极的电位-时间曲线和原位XRD分析,暗红和浅蓝区域分别对应于高和低XRD强度。e1-e2)初始状态下S/C阴极的TEM和HRTEM结果。e3-e4)在300次循环后的完全充电状态下的S/C阴极的TEM和HRTEM结果。f-g)S/C正极在不同电压区间的充放电曲线,i)Cu2S → S不同的氧化路径分析

 

材料设计与结构表征

采用模板法制备SC-C微孔碳基体,通过熔融扩散法将Se-S短链精准填入微孔,实现空间限制与分子裁剪的协同效应。

结构特征验证:​

  • SEM和EDS Mapping显示元素均匀分布

  • TEM和SAED证实Se₄S₄/SC-C的纳米结构

  • XRD显示Se₄S₄/SC-C的独特衍射特征

  • XPS谱显示S 2p和Se 3p的特征峰

  • TOF-SIMS分析验证Se-S短链成功填充

2 a)不同尺寸孔隙约束下Cu2S在充放电过程中的氧化途径示意图。b) S8和Se4S4中S─S键的解离能。c)模板法制备SC-C及填充Se-S短链的示意图。d) SEM和EDS Mapping结果;e) Se4S4/SC-C的TEM(插图为SAED结果)。f) S/C、S/SC-C和Se4S4/SC-C的XRD。g) SC-C、S/SC-C、Se4S4/SC-C的N2吸/脱附等温线。h) Se4S4/SC-C的S 2p和Se 3p XPS谱。i) S/SC-C和Se4S4/SC-C的TOF-SIMS分析。S/C、S/SC-C和Se4S4/SC-C的j) TG和k) DTG曲线。

 

反应机理与路径优化

通过多维度表征技术,清晰揭示Se₄S₄/SC-C正极的一步四电子反应机制,验证空间限制策略的有效性。

机理研究突破:​

  • 原位XRD仅显示微弱非晶信号,无CuS特征峰

  • XPS追踪证实S⁰→S²⁻、Se⁰→Se²⁻还原反应,无CuII信号

  • CV和dQ/dV显示一对对称氧化还原峰,证实一步反应

  • DRT分析显示扩散阻抗仅在放电末期出现,反应路径纯净

3. a)Se4S4/SC-C正极在0.5 A g-1下的前两个放电-充电过程期间的电压-时间曲线和原位XRD分析,暗红色和浅蓝色区域分别对应于高和低XRD强度。b1-b3)不同充放电电位下S 2p/Se 3 p杂化轨道、Se4S4/SC-C的Se 3d和Cu 2p轨道的非原位XPS谱。c)循环伏安曲线,以及d)S/C、S/SC-C和Se4S4/SC-C的dQ/dV结果。e1-e3)S/C、S/SC-C和Se4S4/SC-C在放电过程中的原位EIS谱。e4)在1.0 M CuSO4电解液中,S/SC-C在放电过程中的原位EIS谱。f-g)/C、S/SC-C和Se4S4/SC-C的DRT时域阻抗分析结果。

 

电化学性能评估

系统评估Se₄S₄/SC-C正极的电化学性能,展现出卓越的循环稳定性和容量保持率。

性能卓越表现:​

  • 0.5 A g⁻¹下初始容量达1067 mAh g⁻¹

  • 700次循环后容量保持815 mAh g⁻¹,衰减率仅0.034%

  • 全电池放电电压达1.24 V,容量高达1700 A g⁻¹

  • 性能媲美有机锂电,展示产业化潜力

4 a)在0.05 mV s-1的扫描速率下,Se4S4/SC-C在0.01-0.5 V(相对于Cu/Cu2+)之间的前四个循环的CV曲线。b)在0.5 A g-1、1 A g-1、2 A g-1、3 A g-1和5 A g-1的电流密度下,S/C、S/SCC和Se4S4/SC-C阴极的容量保持率。c)Se4S4/SC-C在0.5 A g-1、1 A g-1、2 A g-1、3 A g-1和5 A g-1电流密度下的充放电曲线。d)S/C、S/SC-C和Se4S4/SC-C在0.5 A g-1下的长循环性能。e)双液全池示意图。f)Se4S4/SC-C ‖ Cu半电池中Se4S4/SC-C正极的电压曲线,以及以Zn作为负极的双液全电池中的电压分布。g)全电池在0.5A g-1下的循环性能,其中在前5个循环中在0.1 A g-1下活化。h)本工作与其他工程的性能比较。

 

研究总结与展望

本研究通过空间限制与分子裁剪策略,成功解决S-Cu体系不可逆容量损失问题,为高性能水系电池设计提供新思路。

创新价值总结:​

  • 揭示S-Cu电池衰减本质,提供路径调控新范式

  • 微孔碳与硒硫化合物组合可拓展至其他硫族元素电池

  • 高电压、长寿命全电池设计为大规模储能提供低成本解决方案

论文信息:Angewandte Chemie International Edition
DOI:10.1002/anie.202501205


科学指南针计算服务​:提供理论计算与模拟支持,助力电池材料设计与机理研究。了解更多:https://www.shiyanjia.com/simulate.html【科学指南针·服务声明·2025】